Cornell’li bir araştırmacı galyum nitrürden yapılmış son derece hızlı ve verimli çalışan bir transistör yaptı, yakında güç uygulamaları için yarıiletkenlerin kralı olan silikonun yerini alabilir.
Image: Junxia Shi
Junxia Shi, Lester Eastman’ın labratuvarında bir yüksek lisans öğrencisi, galyum nitrür tabanlı aygıt geliştirdi, dizüstü bilgisayarlardan, yel değirmenine, hibrid araca ve diğer güç elektroniği sistemlerine kadar bir çok ürünün temel devreleri bunlardan yapılabilir.
Patenti beklemede olan aygıt, galyum nitrür bileşiğinden yapılmış temel bir elektrik anahtarıdır, mükemmel elektriksel özellikleri olan bu malzemeyi, Eastman ve arkadaşları on yıldan bu yana inceliyor. Son buluşları üzerine araştırma, 28 Temmuz 2009’da Applied Physics Letters dergisinde yayınlandı.
Yeni transistörlerin direnç üzerinde, yada elektrik akımına direncin oranı, günümüzden silikon tabanlı güç aygıtlarından 10-20 kez daha düşüktür. Ayrıca yüksek bir bozulma voltajı var, bu başarısızlıklar karşısında malzemeye ne kadar voltaj uygulanabileceğinin bir ölçüsüdür.
Galyum nitrürlerde düşük elektrik direnci anahtar aygıtlar için gerçek değildir, ısıtmak daga az güç kaybına neden oluyor ve elektrik arızası olmadan her santimetrede 3 milyon volt kullanma yeteneği vardır. Silikon, bir rakip malzeme, her santimetrede sadece 250,000 volt civarında kullanılabilir.
Eastman, yüksek voltajdan yüksek akıma elektriksel değiştirilebilen aygıtlar yapmanın mümkün olduğunu ve bunun güç kaybını azaltırken, elektriksel uygulanabilirliğin bir ölçüsü olduğunu belirtti.
Transistörler, Cornell nanofabrikasyon ekipmanı ile yapıldı, belki bir gün hibrid elektrikli araçlarından donanma torpidolarına kadar herşeyde kullanılabilirler. Shi ve Eastman aygıtları için geçici patente sahipler. New Jersey tabanlı şirket Velox ve Motorola spinoff Freescale bu araştırmaya fon sağladılar, bu endüstriyel ölçekte aygıtların üretimi için önemli bir sıçrama diğer yandan da.
Hazırlayan: Kenan Elibol – KuarkMNB
Kaynak : http://www.physorg.com/news179518616.html
