Samsung, SUNY gibi kuruluşlarla işbirliği yapan IBM fonksiyonel transistörlerle Dünya’nın ilk 7 nanometre kalınlığında çipini üretti. Bu 7 nm’lik çiplerin ticari hale getirilmesinin en az iki yıl süreceği düşünülürken, bu deneme çiplerinin üretilebilir olması IBM hatta yarıiletken endüstrisine dayalı gelişen dünya elektronik pazarı için üç açıdan son derece önemli olmuştur: ilki 10 nanometrenin altında artık çalışan bir çip üretilebildiğini gösteriyor olmasıdır. İkincisi kanal malzemesi olarak silikon-germanyumun ilk kez ticari bir alan etkili transistörde kullanılabilirliği ve üçüncüsü ise bu transistörlerin ticari tasarımında ilk kez ultraviyole litografi ile üretimin yapılmasıdır.
Bu 7 nm’lik deneme çipi IBM/New York Devlet Üniversitesi’nin (SUNY) Politeknik 300 mm araştırma tesisinde üretildi. Bu transistörler kanalında silikon yerine silikon-germanyum (SiGe) alaşımın kullanıldığı FinFET transistörler olarak ticarileştirilecek. Bu kadar küçük geometrilere ulaşmak için ise kendiliğinden hizalı dörtlü desenleme (SAQR) ve ultraviyole litografi kullanıldı.
IBM yüzey alanında bugün ki 10 nm’lik çiplere göre yüzde 50 azaltma elde edildiğini iddia ederken yeni nesil sistemler için de en az yüzde 50’lik bir güç/performans iyileştirmesi hedeflediklerini açıkladılar.
Günümüzde Intel ve Samsung gibi şirketler tarafından 10 nm’lik çipler ticarileştirilmek üzere. 7 nm’lik çiplerin seri üretimini yapmak için ise daha erken. Çünkü bir iddiya göre 10 nm’lik çiplerde Intel bazı zorluklarla karşı karşıya kalmış ve Intel’in Cannonlake adını verdiği bu 10 nm’lik çipler 2017 yılında ancak piyasaya sürülecek gibi. Dolayısıyla 7 nm’lik çiplerin 2018 yılından sonraya kalması aşikar.
Haber kaynağındaki yoruma göre, eğer IBM biraz daha hızlı davranırsa Intel ile bu yarışta ortak olabilir.
Gökhan Atmaca, Bilim Uzmanı (MSc.)
Takip: twitter.com/kuarkatmaca
İletişim: facebook.com/anadoluca
Kaynak:
http://arstechnica.co.uk/gadgets/2015/07/ibm-unveils-industrys-first-7nm-chip-moving-beyond-silicon/
