MIT malzeme bilimi araştırmacıları, devrelerin yoğun olduğu yerlerde çiplerde dikey telleri nanotüplerle değiştirilebilen ve onları büyüten bir teknik geliştirildi.
MIT malzeme bilmi profesörü Carl V. Thompson, laboratuvarda araştırmacılarla kristal karbon nanotüplerin yoğun olduğu yerlerde metal yüzeyde sıcaklıkla bilgisayar çiplerinin karakteristiğine yakın olarak büyütüldü. Önceki denemelerden farklı olarak araştırmacılar şimdiden yarıiletken sanayisinde farklı süreçleri deniyor.
Araştırmacılar ayrıca, kendi prosedürü içinde önemli olan hidrokarbon gazını ısıtarak hangi nanotüp formu önemli ise o metal yüzeye önce o verilir.
Genelde bilgisayar chiplerinde transistörler küçücük bir bakır teli ile birbirine bağlanır. Ama chip derelerinde küçülen ve daha ince hale gelen tellerin iletkenliği azalır ve onlar başarısız olur. Yeteri kadar basitçe imal edilen bir süreçte devrelerin yoğun paketlemesine izin verilen chiplerde dikey tellerin değişmesi nanotüplerle sağlanabilir.
Bir vakum odasında araştırmacılar, silikon levha üzerinde metal tantalyum ve demiri ekleyerek hangisinin silikon levhaya yerleştiğini buharlaştırarak buldu. Daha sonra fırın (fırına benzer bir yer) sokulan bir kuvars tüpünün içine bu levha yerleştirildi. Fırının içindeki tüpün sıcaklığı 475ºC idi ama sonradan ters olarak değişti. Araştırmacılar tüpe ters ucundan etilen gazını levhaya doğru pompaladılar. Sıcaklık 800ºC’ye yaklaştığı zaman katalize (kolaylaşan) olan levhaya doğru etilen gazı gitti ve demir ile karbon atomlarını ayırdı oluşan form nanotüp şeklidir.
Araştırmacılar farklı hidrokarbon gazlarını ve farklı metal kombinasyonlarını deneyerek daha düşük katalitik sıcaklıkta nanotüplerin kalitesini artırarak karaşlaştırmaya çalışıyorlar.
Daha fazla bilgi: “Low Temperature Synthesis of Vertically Aligned Carbon Nanotubes with Electrical Contact to Metallic Substrates Enabled by Thermal Decomposition of the Carbon Feedstock,” Gilbert Nessim, Carl V. Thompson et al, Nano Letters, Aug. 31, 2009
Hazırlayan: Polat Narin – KuarkMNB
Kaynak: http://www.physorg.com/news171812351.html
