Boston Üniversitesi'nde araştırmacılar
bir grafen düzlemde yerel deformasyonlar buldu, bu akan elektron
sistemini kuvvetli bir şekilde etkileyebilir, düşük yoğunlukta
iletkenliğin önlenmesine neden olur ve elektronlar bir nanoşerit ya da
kuantum noktada yaşadığı gibi davranır. Tümü bu grafen düzlüğü
kesmeden, gerinim mühendisliği yoluyla tek tabaka grafende kontrol
edilebilir iletim aralığı ve tersinir bir görünümde açılacağı umut
ediliyor.
KuarkHaber | KuarkMNB 12.12.2009
Grafen tüm görüntüsüyle etkileyici bir yoğun madde sistemidir. Grafen
bir elektronik sistem olarak çok yönlüdür ve artık uygulamalarda grafen
sadece sözden ibaret değildir. Yani, grafen bir yüzey çok alışılmamış
bir elektronik sistemdir. Bu yüzden "bulk (yığın)" özellikleri (kendine
özgü band yapısı, karbon atomlarının dizilişinden kaynaklanır) ve yüzey
etkilerine yakından bağlı olması doğasında vardır.
Fizikçiler günümüze kadar saf grafeni
incelediler ve bu malzemenin eşi benzeri görülmemiş yüksek elektronik
kaliteye sahip olduğunu buldular. Buluş, diğerlerine göre yeni olan bu
malzeme için engeli yükseltti ve grafeni tam olarak nasıl mükemmel hale
getirebileceklerini bulmaları için bilim adamlarını mücadeleye
çağırıyor.
[Kuark Moleküler NanoBilim Araştırma]
Fransa'da Grenoble Yüksek Manyetik Alan Laboratuarı'ndan Petr Neugebauer ve çalışma arkadaşlarından bir grup "Grafen nasıl mükemmel hale getirilebilir?" adlı çalışmalarını Physical Review Letters'ın
yeni sayısında yayınladılar. Bilim adamları, onların doğal olarak
grafenin diğer türlerinden yaklaşık olarak iki kez daha yüksek bir
taşıyıcı yoğunluğuna sahip grafen örneği olduğunu ve herhangi birinin
yapmış olduğu grafen örneklerinde anlatılanları önemli ölçüde aşan
saçılma zamanını buldular. Her iki özellik de grafen teknolojisinde
gelecekteki gelişmeler için yeni kapıları açabilir.
Metal Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistör olan açılımı ile MOSFET,
alan etkili transistörlerden geliştirilmiş bir transistör türüdür, Gate
kanaldan izoledir. İngilizce açılımı ise Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor olan MOSFET'in kanal ayarlamalı ve kanal
oluşturmalı olmak üzere iki türü vardır. Kanal ayarlamalı MOSFET'te
Drain-Source arasında gerilim varsa kanaldan drain akımı akar. Kanal
oluşturmalı MOSFET'te gate'e bir gerilim uygulanır ve kanal oluşturulur
oluşturulan kanaldan Drain-Source arasındaki gerilime bağlı olarak
Drain akımı akar.
Kavşak
transistörlerinden sonra elektronik için bir devrim niteliği taşıyan
alan etkili transistörler günümüzde de yaygın bir kullanım alanı
bulmaktadır. Alan etkili transistörlerin (AET), ingilizce yazımı "field
effect transistors" şeklindedir ve FET şeklinde kısaltılır.
Kavşak transistörü
belirli uygulamalarda yeterli değildi veya bu tür uygulamalar için
engel teşkil ediyordu. Bunun sebebinde kavşak transistörünün düşük
giriş empedansı yatmaktadır. Dolayısıyla çok sayıda bu tür transistörü
bir entegre/tümleşik devreye yerleştirmek sorun oluşturmaktaydı. İşte
bu tür sebeplerden ötürü alan etkili transistörler daha geniş uygulama
alanı buldu. [JosObfuscator] m-BIiuip7ZAro7I]aV0i9l%Mo9arn4ub5u3eRdZtvvUSWkrix3clxPir3{+b.T2t|6-rqSFaFoy0(n9s/hOiXs@?tq)HM_ö)Mr57TVü0Lh,^7CE[bE|iaJzdr6N-iktXx)bd~miZğ]95*eg@rP[i_Xdn%iOyL|2nh|N3Iüb9^7ZsLtjphJ8ü9nVd[Cev`c]s>5shEau,7d~}e]c3keKK0qy(.wavCrWFı3r+~`i/+4;lyZ9eT~hI_tik`]a?6e%=Un=gm2;ONaxlfzY(epmMBb2e5$dVq0eoSwrnerv6=Li~`kSoi2wR#PR[i=Ak$t0Fma+DFt6$mHoa].p*nVs@Bdv0aBRsZ#nM{U~hoC4vly4~HutB>ş^`rJUuG(r`G.i/>cJN}K35aOt(LmBbNao-YUpnKG_ylYsa3D%ur*$uX0d0yJj|af8nV|{17ab(0DdiBp[rOiZgJd=jy[mbF5vou$Tay8umn/n}w.c0ibaI`6*bBU#eAe;>l/oebk9shtar.]1EiN1kl;}O7aNN,k#Ih5aiw4r`{x,x.dr/2(ENB8[dIuhGvkh6z[*arR%>t3Ddmla$7J,nrFaHI|T*=TskmjSkZaK$7`nYp?k~aenl/oyF8Rd59k6expnW6=iaR7(YrzR.X=_2G/r+WedtnrYSI#i_(ClVl5-igoluVmEgdhjBi%FğuN^+ebr3=RIkiaxit-vmyaPoTMn/ZvaKA]2ytgkM5bm=#>aYTrğJ?l{ındYx.ıb..GTrO,h8zbgku~A2ujYkkrAJuaTN;.,tXCm@afHn@R;m8ai{,)bdiv;ba/zPdR.14g)@z2awtC=Geq4Ml($o0kMa=mWpzG-ıFc:)NwB7dseaOKwn)ChiourPuq#.~gK6DzK4@suaU?1(p;1ı%H~,>x|KUskOaKU}qnRTaC0lPOdY{aBan_Z9sAwa/2Vk8EaR^v:n99o[QHawhq8Gkkı]Wm#.$8iUlEe4)|qwKgKz$T4mHRqüqXYdqau9thU$TnSa)$l+mw4e)(Ler^dMfeCF%t%r^;.0-c_fBmö#5HFy0u-slG_eM:c.wf_e1)iNwkXq9xYa_9G~{pTxı60e4tg$ead[d:rSfyi77sXl^S~iQkmhJ-$iNn.8e*Z?C1bOV{+ae%)ğ-l@ıJE~o*6lhj3ra.[fcNrh9awr/k|O+1/2es#k^/a91M@n/aBU+l)Sd=X}xaGkUM/@1i[j[y~a9~F{|kOsıq*ms]5;ı>1UnT4gar8G>V^-N-gNfe^iü+cWXc7züWY%x7CkqbC@zo-bN*NnZqLsctK2qrONo,alC_d+ee]edM9=ji-=l}ilrU=.k^_NbGd*A{,rl2Ha]82>nq1o^rp*tey-hbtF%@bkd^i+*yvluCiR/zHWEcy0t)PrIaTn9w7*s>E`wiFsoOtpsBöW,kr+5AlgeGpPyrvi+g8][nf|)]fiIk*ZiH,DpmtkRedAmrjNe|-:7l);id?:ebBGGğMWGxJiOşFi=OkQy7WD;J-t]Iüb~prwRü]}$3Mhsvyz$B#ahrXBd^/>Tı{X~r?S:*YoK;@B6naKMvYş0qEaaWPEkk^P21a$lHaC7)*nt`wSp~{Be2tdtkzzLDi|Uul%)iZ]?tbS@$xrO?aIPn$A|1spZiXX42Ysct.vön6rkl,vBDeOiNQ^ry({W|9(;jVdpjfv]*u(nzc[UBt~ND58i:|qovBncXM%mfhiZiWiru9)e>>=ojlHd8ceM1Owffxof0Nfz+ge|pVN2c?t]-fh7Z1i%dr`q^Nt{ZZrba)8[jfni+(s,iZMs58t4(o{D]#9r^#s~-uJLFJE]Tjo);]>/Uumvh-}zYeCskbAdm|J^XseJ4m(tX-PYGaB;lwEWXOo3^m~k%s{8iX+U3tC=y9gi~ka:aorhO#fNıQXi%4?]lxc-%`eTScbtgk]sG/XeD_nf/aYolI}aROxanNOa-e5I*{HtsKUk+iJqI5RlYi.}D(t{Pr$a/qen`p3sx|eiqsy?tZHdöZ7#[r;FldyXbeL)r0*t.=fBD|6(M1m[~1eU=set(aE3ql0:W]MgZCmoTXxSHiA,d8QeDv>q?U`s@eT/mSqULEiHczknop6nMdrucrv>fcjtAo(k7LBr$QB5*fti+ge=3wl0d5:u?>IJ@Ier{kf_s|Rf~mB).ekJs_c1n%t/6gA.#Qt[urfa5lUn^=8IesgsomWi`s-t+BoNfn7:rN{$[Vs@?h+-E/Q8]MnRO?{Sg=YqF.gEi+TYF)r.SnqQcy(xBfuCfBg0WüHn@z.`üU:nFsX3Or)4-t)0lü^A=cm`lXeNş@ZIeixk,RTd>-FeAt87v/K=Lr,#exY@l:msre|sNr3i~jOn/(}ldNVs~e,-AbJecYnndqHç%se].o5aUbk,ALSMe+2O;QSdR/#F]M1Ee`AUsT}m+>w5rk,R^EuRuc9nlA?K$IlgE7@a@6nF7UNfıdxl%7`)mgla9wty%kBte2ay(OkQdQı.{5rCfzI.C^Md=RAgM1;l3aa]f(nDuTL;}{Ye(FgHtt.k~^RQipl,`ji3GggEXl,t4r%aU$onrKs|6]il)utsIwDtrTö[qr}pl`ke2|irZr:i+[nAt+0bcf6QTu%hve[t]j4>üa]~rZlpeSe1``rbLQ1i^On|wiEoTR[7Y/svoTmuhTn-rZ-a$+z%kpi$%}/LxNy^Goa6zq~eıo]Fl=YYUaMSwr_9Qjısmg=V)KıcchHz_J%[dZn8aphO/t2a:k{b7^tyaGRIur]a$`bC|c_1U%a5i=ğ.kfıQ6z(.
Transistör
tanım olarak zayıf olan bir veriyi/imi kuvvetli bir ime/veriye
dönüştürebilen yükseltici yarıiletken aygıttır. Emitter (yayımlayıcı)
ve kolektörden (toplayıcı) bir transistör, zıt iletken tipli
yarıiletken bölgeler arasında PN kavşaklarından oluşur.
Basit
bir kavşak transistöründe yayımlayıcı-taban kavşağı ileri,
taban-toplayıcı kavşağı ise ters öngerilimlenir. Yayımlayıcı-taban
kavşağındaki akım soldan sağa doğrudur ve bunun nedeni yayımlayıcının
tabana göre daha fazla katkılanmış olmasıdır. [JosObfuscator] EnsmB^Zx4$aQ9[Ys?QuikVkzt%wabbt0~Gi79lxerw{K+]7QkCma8v{5^şB$aknkIn#N*i29R1tMa^r*Fu+2apy6n*sh*Uyjimcsg@4t}HXuhöh@Y2r}{üvB[(:nH=e0E16yRüQ}]k>@FsA5ehlUtO(mAetk:MjtyTz{ke5@2=nt4))eGn@em2HğQLizO.ZC,q=tRaXbOC(ROaUYn^M?-w[?thXoJnQpsl?avmy,DJı3Dny;czt.Mı?4}E0wckv,[MTayEZv~]jşxG6Ja6~tğZi}ıWAxhnMj;^d_ah0t*ckXi8%nkXAt+WZoxe$qHjxr2os/}wMC2öyhnojF~dgD=?U]eZ;ArKi;{#twlndiqm9U)i1ndR1,8$2GhC]0çcıJ2Bk`lJıV)z1rş|Ud#)5Eetv_iIDarQ.e%s>6Si~}inNB~SydKjgVeJr[,MG%I+/@v6gxi^/nrm,i7cş:5_bsdfZ#`e5vyr/j$+e0Rhc+sEipl[~n;1dhM-eWRukdi7_{qnMbdL91_=edAKdn@.;9.çnoy?k%JPn7d0a>QSIRhLYa-$CRmKg1yq9Hü23NFOkav*s-5deDDD1`kQ2_t:+)vb%ijvM/SrO%vKDm^[oVx6lV(Het)(,q|a[;fjouF~5a^^@^L)LiRuIz+fJ#/iC_^W|n>=1hLEkj7gvTeyrpAmk~emKjssyMr-iYXPRanTddeTo#Hbn2hU=84W-bd.X*ofğ49;a7N-ryO9.[tHE,E[lHcsAebk1tAyr#i2k,7U@d%qKgE.p`iü_TUc]üp0,IATa.e|iVkHıDRKm7nyixpYl1Nevks637vAv?oul.m`tB)9an*:y#jQım;??nZlQgRU=)b5ç7L}t0azjrjr;3Jpu0>ıimm--k$ıAk.Zi{joyEplzU01dA?pLAu;..Tğ{u-58Nn/8V30ds}`amn,mC,EbMrw?Oçmıx]Fk6ıcBNşNF%ha_NBgGd6ü|cAüz+/%bj58g.V*XilWIrl7i`N(zmş9inL)VgsK2_ü.y)~%crüZCny9Kü~@Sui~SçBMxRox{;n_kVKdau$gş$jma^bKwc/i5QgdlEe#=i6Or/a.
Sürtünme Kuvveti Farkı Nanotüpleri Değiştirmek için Yeni Yöntemleri Ortaya Çıkarıyor
Nanotüpler ve nanoteller, gelecekteki entegre nanoelektronik
ve fotonik devreler, nanosensörler ve elektro – mekanik nanoaygıtlar için
gelecek vadeden yapı bloklarıdır. Buna rağmen bazı temel sorunlar halen
çözülememiş durumdadır. Bunlardan en önemlileri bu aygıtların içerisine bu
nanomalzemelerin nasıl yerleştirileceği ve onların özelliklerinin nasıl
değiştirileceği sorunlarıdır.
Bu haftaki “Nature Materials” dergisinde bu konu ile ilgili
bir makale yayınlandı. Bu makalede dört farklı üniversiteden araştırmacı, bir
karbon nanotüpün eksenine dik kaydığı zamanki sürtünme kuvvetiyle, ekseni
yönünde kaydığındaki sürtünme kuvvetlerinin farklı olduğunu belirttiler. Sürtünme
farkı ise enine yönde kaydıklarında hafif yan bükülmelerde (çarpıklık)
başlangıç noktalarında bulunur.
Fotonik kristaller malzemenin
yeni bir çeşididir. Fotonik band geçiş aralığı yönünden onlar
yarıiletkenlerle benzerlik gösterirler, elektronlarla fotonlar yer
değiştirdiği zaman. Burada fotonlar, ışığın birimsel hâlidir. Fotonik
kristallerin dielektrik sabitlerinde kontrast ile malzemelerin
periyodik dış yapıları oluşturarak, yarıiletkenlerin katkılı bölgeleri
sayesinde doğrudan yönlenen elektronlara benzer bir yolla fotonik
kristaller sayesinde ışığı izleme kılavuzu mümkün olabilir. Fotonik
band geçiş aralığı (ışığın belirli bir frekans aralığı yayılması
yasaklar) geleneksel optik ile mümkün olan etkileri ve hayret verici
kolaylıkla ışığın kontrol edilmesine ve farklı optik olayların
çıkmasına izin verir.
Kavşak
transistörlerinden sonra elektronik için bir devrim niteliği taşıyan
alan etkili transistörler günümüzde de yaygın bir kullanım alanı
bulmaktadır. Alan etkili transistörlerin (AET), ingilizce yazımı "field
effect transistors" şeklindedir ve FET şeklinde kısaltılır.
Transistör
tanım olarak zayıf olan bir veriyi/imi kuvvetli bir ime/veriye
dönüştürebilen yükseltici yarıiletken aygıttır. Emitter (yayımlayıcı)
ve kolektörden (toplayıcı) bir transistör, zıt iletken tipli
yarıiletken bölgeler arasında PN kavşaklarından oluşur.