Singapur Devlet Üniversitesi ve Malzeme Araştırma ve Mühendislik Enstitüsü’nden araştırmacılar grafen tabanlı alan etkili transistör için bir gelişmiş tasarım geliştirdiler.
Bu yeni geliştirilen tasarım, grafen katmanın altına ek olarak silikon dioksit (SiO2) dielektrik geçitin (gate) eklenmesini içermektedir. Silikon dioksit geçit, geleneksel alan etkili transistörlerde uzun süredir kullanılan bir bileşendir ve ferroelektrik sinyal ayırıcının (gating) etkisinin ölçülmesi için etkili bir referans noktası sağlar. Aynı şekilde alt ve üst geçitlere uygulanan voltajların fonksiyonu olarak aygıtın direncinin izlenmesi ile araştırmacılar grafen ferroelektrik alan etkili transistörlerin swicth yani makas veya değişme davranışı ve performansının niceliksel olarak anlaşılmasının bir yolunu buldular. Bu durum ise bize grafen tabanlı kalıcı bir bellek aygıtının kullanımında yarar sağlayacaktır ki, silikon dioksit geçit ile yük taşıyıcıların ek arkaplan kaynağı olarak sağlanmasıyla bit yazılması basitleşmiş olur. Yani bir grafen kalıcı belleğe bizler veri ekleyebiliriz. Ve tüm bunun gerçekleşmesine ferrroelektrik polarizasyon olayı izin verebilir. Ferroelektrik polarizasyon, iki zıt polarizasyon yönelimlerine karşılık gelen iki kararlı durum arasındaki değişimdir. Bu değişimleri kullanarak bir grafen tabanlı bir belleğimiz olabilir! Tabii hiç birşey bu kadar basit değil.
Dolayısıyla bu yeni aygıt, geliştirilen pratik sonuçları ile beraber kalıcı bellek için kullanılabilir grafen ferroelektrik alan etkili transistörlere ön ayak olabilir. Sonuçlara göre %500′ün üzerinde iki direnç durumu arasındaki direnç oranı ile simetrik bit yazımı söz konusu ve aynı zamanda tekrarlanabilir kalıcılık 100.000 devirin üzerinde.
Bu çalışma Singapur’da bir Türk bilim insanı olan Yard. Doç. Dr. Barbaros Özyılmaz’ın liderliğinde gerçekleşen bir çalışmadır ve grafen üzerine oradaki çalışma grubu ile beraber önemli gelişmelere imza atmaktadır.
Gökhan Atmaca | http://www.twitter.com/kuarkatmaca
Bir cevap yazın